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2SK3984
<R>
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
180
I D = 9 A
10000
160 Pulsed
140
120
1000
C iss
100
80
60
40
20
V GS = 10 V
100
10
1
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
C oss
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V GS = 10 V
120
V DD = 80 V
12
100
t d(off)
V DD = 50 V
R G = 0 ?
100
80
60
50 V
20 V
V GS
10
8
6
10
t d(on)
t f
40
4
1
t r
20
0
V DS
I D = 18 A
2
0
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
1000
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
10
1
V GS = 10 V
4.5 V
0V
0.1
0.01
Pulsed
10
di / dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D17323EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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